Firma SK Hynix z Korei Południowej opracowała swój najbardziej zaawansowany układ NAND flash składający się z 238 warstw komórek pamięci.
Nowa pamięć ma trafić do użytku w urządzeniach pamięci masowej komputerów PC, a także w smartfonach i serwerach, poinformował w środę drugi co do wielkości producent układów pamięci na świecie. SK Hynix określił rozwiązanie jako „najlepszy w branży” NAND flash. W minionym tygodniu amerykański Micron podał, że zaczął sprzedawać partnerom 232-warstwową pamięć NAND.
SK Hynix twierdzi, że nowy, 238-warstwowy chip jest najmniejszym pod względem wielkości chipem NAND flash, może pochwalić się 50% lepszą szybkością przesyłania danych w porównaniu z chipami poprzedniej generacji i wydajnością energetyczną, ponieważ zmniejsza ilość energii zużywanej do odczytu danych o 21 %. Firma planuje rozpocząć masową produkcję chipów tego typu w pierwszej połowie 2023 roku.
SK Hynix i Solidigm (przejęta przez SK Hynix część biznesu Intela zajmująca się pamięciami NAND) posiadają razem 18% udziału w rynku pamięci flash NAND. Liderem jest oczywiście Samsung Electronics z udziałem 35,3%. Trzecia jest japońska Kioxia z 18,9% udziałów.